型号 | EPC2015 |
厂商 | EPC |
描述 | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
EPC2015 PDF | |
代理商 | EPC2015 |
应用说明 | Second Generation eGaN® FETs Assembling eGaN® FETS Using eGaN® FETs |
产品培训模块 | eGaN FET Reliability Second Gen Lead Free eGaN FETs Overview Paralleling eGaN? FETs |
RoHS指令信息 | Lead Free/RoHS Statement |
特色产品 | eGaN? FETs Demo Board EPC9101 |
标准包装 | 500 |
系列 | eGaN® |
FET 型 | GaNFET N 通道,氮化镓 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 33A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 4 毫欧 @ 33A,5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 9mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 10.5nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 1100pF @ 20V |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 模具剖面(11 焊条) |
供应商设备封装 | 模具剖面(11 焊条) |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | 917-1019-2 |